穩懋半導體股份有限公司

(一)公司簡介

1.沿革與背景

穩懋(3105.TW)成立於1999年10月,是亞洲首座以六吋晶圓生產砷化鎵微波通訊晶片的晶圓製造商,自2010年為全球最大砷化鎵晶圓代工廠。

2.營業項目與產品結構

公司主要從事砷化鎵微波積體電路(GaAs MMIC)晶圓之代工業務,提供HBT、pHEMT微波積體電路/離散元件與後端製程的晶圓代工服務,應用於高功率基地台、低雜訊放大器(LNA)、射頻切換器(RF Switch)、手機及無線區域網路用功率放大器(PA)與雷達系統上。

產品組合,HBT佔營收比重60-70%、pHEMT佔20-30%、BiHEMT佔比小於10%,其中BiHEMT主要應用於Wimax及4G產品。2012年Q4產品應用比重:手機應用(2G/2.5G/3G手機)佔60%、WiFi(11n產品)應用佔20%、利基型產品佔20%(光纖、衛星)。

2013年Q1產品應用比重:手機應用佔60%、WiFi應用佔20-30%、利基型產品佔10-20%。


產品圖來源,公司網址 http://www.winfoundry.com/

 

(二)產品與競爭條件

1.產品與技術簡介

砷化鎵電晶體製程技術分為三類:一、異質接面雙極性電晶體(HBT),二、應變式異質接面高遷移率電晶體(pHEMT),三、金屬半導體場效電晶體(MESFET)。公司所提供是HBT和pHEMT,頻譜範圍由1GHz到100GHz,滿足低頻到高頻應用。

射頻模組中的各電路產品中,功率放大器(PA)係以HBT來設計,而微波開關器(RF switch)則利用D-mode pHEMT來設計。

公司領先全球研發於六吋砷化鎵基板,同時製作二種以上高效能之元件,以整合晶片製程上之技術,並縮小射頻模組電路面積、降低成本。

公司在0.25微米的pHEMT製程擁有領先技術,在製程縮微方面,也已經切入0.1微米領域,高階製程持續領先同業。

 

2.重要原物料及相關供應商

公司主要原料為砷化鎵磊晶片及貴金屬,採購以長期合作的供應商為主。

 

3.產能狀況與生產能力

工廠位於林口華亞科技園區,擁有兩座六吋砷化鎵晶圓製造廠,2011年月產能規劃分別為8000片及12000片,至2012年底,月總產能規模達22500片。至2013年上半年,產能擴充至2.4萬片/月。

2013年第二季產能利用率提高至90%,高於第一季的80%。2013年下半年將擴產10-20%。

資本支出

2011年資本支出約40億元。2012年再投入10~20 億元資本支出,將產能擴增12.5%至22,500片/月。至2013年上半年再擴產至2.4萬片/月。

2012年上半年資本支出為13.42億元,相較2011年上半年資本支出25.57億元大幅下滑。2013年資本支出約30億元。

 

4.新產品與新技術

氮化鎵(GaN)

氮化鎵的寬能隙、低電荷等特性,讓氮化鎵元件可以在數奈米秒內切換數百伏特電流,即切換效率可以達到數兆赫,因此看好氮化鎵應用在基地台、衛星通訊等利基型市場,氮化鎵元件也逐漸開始用在功率放大器上。

公司於2010年底開始投入氮化鎵製程技術開發,並於2011年第二季建構完成第一條4吋的專用生產線,計畫於2013年正式提供氮化鎵晶圓代工服務。

異質接面雙載子暨假晶高速電子移動電晶體(BiHEMT)

公司也從事BiHEMT開發,BiHEMT係將HBT及pHEMT兩種砷化鎵元件,磊晶成長於同一磊晶片上,可縮小整體模組面積,節省封裝及材料成本,及達到省電之效果。2011年該產品良率提升自2009年的85%改善至95%。

高聚光型太陽能(HCPV)

公司新切入高聚光型太陽能(HCPV)的生產業務,HCPV產品在1個太陽光照度下的轉換效率為31%,但若搭配Fresnel透鏡將光源聚焦,在500個太陽光照度下的轉換效率已達39%。

另外,晶圓級銅柱覆晶製程可以縮減功率放大器模組的尺寸且增進其效能,可望於2013年第二季量產。

 

(三)市場需求與銷售競爭

1.產業結構與供需

砷化鎵產業上游關鍵材料為砷化鎵磊晶圓,產業鏈由上而下為IC設計、晶圓製造及封測,整個產業除晶圓製造外,設計與先進技術仍掌握在國際IDM大廠,砷化鎵晶圓製造市場中,IDM公司仍佔有超過70%的生產規模。

砷化鎵半導體相較於矽半導體具有高頻、抗輻射、電子遷移速率快、耐高溫等特性,主要應用在無線通訊、光通訊上,其中以無線通訊(2G/3G/4G/Wi-Fi) 的普及為帶動砷化鎵產值的最大動力。

2010年砷化鎵市場產值達50億美元,年成長3成左右,至2015年約達64億元美元,其中行動通訊應用約佔50%比重,主要為智慧型手機成長推動。

一支智慧型手機(3G或4G)為例,約用到5顆PA及1-2顆Switch;而2G手機使用2顆PA、無Switch;2.5G手機使用3顆PA、0-1顆Switch。估計2012年,3G/4G手機滲透率從2011年的55%拉升到63%。

Gartner統計,2010年全球智慧型手機銷售量為2.5億支,2011年成長60%至4億支。

2010年HCPV系統在全球地面發電市場的裝機容量不到10MW(百萬瓦),佔太陽能光電總發電量僅不到0.1%,但美國能源部對新建HCPV電廠提供融資保證,2011年全年HCPV市場總裝機量將跳增至60MW。

 

2.銷售狀況

主要客戶Avago,佔營收30~40%以上,為最大客戶,前五大客戶(還有Skyworks、FRMD、RDA)佔營收比重75%,其中RDA為白牌手機PA供應商。大客戶Avago打入iPhone CDMA版之PA供應鏈後,再拿下iPhone 4S訂單,Avago的HBT產品全數都在穩懋下單。

NEW iPad的6顆功率放大器PA當中,Avago供應了3顆,且2顆4G LTE PA全數是由Avago取得,相對地Skyworks僅取得2顆3G PA訂單、TriQuint則是供應2G的PA。

2012年銷售地區比重,大陸與日本約佔3成。

以全球砷化鎵產出量,公司市佔率達20%,而在砷化鎵晶圓代工領域市佔超過50%,為全球第一大砷化鎵晶圓代工半導體廠商。

 

3.國內外競爭廠商

砷化鎵晶圓代工廠,國內有宏捷科與及聯穎(聯電集團),國外有Triquint、GCS。

全球主要砷化鎵IDM廠商包括Skyworks、Triquint、Anadigics、Avago、RFMD等,合佔全球6成比重。

 

(四)財務相關

1.轉投資

(1)持股100%的WIN US於2000年3月在美國加州投資設立,定位為蒐集市場商情、提供諮詢及售後服務。

(2)持股100%的WIN CAYMAN於英屬開曼群島投資設立,從事歐美澳地區砷化鎵晶圓之銷售業務,並作為控股公司間接投資WinMEMS Holdings、穩銀科技及WinMEMS USA。

(3)持股26%的連接器廠-宣德,研發RF連接器。

(4)持股21%的英懋達光電,開發砷化鎵多接面太陽能電池。

(5)WinMEMS Holdings為海外控股,轉投資穩銀科技,穩銀科技經營半導體測試設備之研究開發且以微機電(MEMS)為核心技術,從事半導體晶圓測試設備-探針卡之研發、設計及製造。

(6)投資LED晶粒廠-廣鎵光電,LED與砷化鎵所使用之磊晶圓片同屬於III-V族半導體化合物,透過投資廣鎵,以取得磊晶圓相關技術。

(7) 2010年5月廣鎵光電與晶電公司為建立策略合作,晶電以增資發行新股受讓廣鎵及參與廣鎵光電現金增資之方式取得廣鎵股份。公司持有廣鎵股票按2.36:1交換晶電公司股票,交換後共計取得晶電1.69%持股。

(8)2010年9月公司董事會通過與英業達英華達、無敵合資設立英穩達股份有限公司,英業達與持股百分之百子公司英源達,分別持股比例為35%及5%、英華達為10%、無敵5%、穩懋持股不超過23%。英穩達主要生產多晶矽太陽能電池,廠房將設於桃園科學園區,第一期規劃產能為180MW,預計於2011年5、6月投產。


全文網址:
http://www.moneydj.com/KMDJ/Wiki/WikiViewer.aspx?KeyID=50ba7e4a-3e83-413f-aa4f-81db757ece79#ixzz2ataAwHvO

MoneyDJ 財經知識庫

文章標籤

全站熱搜

賢哥不錯 發表在 痞客邦 留言(0) 人氣()